开启全网商机
登录/注册
1 | 芯片晶圆代工 | 三安集成氮化镓工艺流片及测试,采用 GaN HEMT N25PA13 或更高的GaNHEMTN15PA11工艺流片,技术规格: 1) 适用于 28V 分立式 MCM 和 MMIC 器件应用 2) 16 个掩模层:14 个正面层和 2 个背面层 RCID 是可选层 3) 双场板:栅极和源极连接场板MIM电容、薄膜电阻器、外延层电阻器 4) 75 um 背面研磨厚度 5) 独立软件软件/操作系统结构 6) DC Performance a. Max trans-conductance @ VDS=10V Gmmax=350 mS/mm b. Drain current @VGS=2V, VDS=10V IDC_max=1220 mA/mm c. On-state contact resistance Ron=1.8 Ω*mm d. Pinch-off voltage @ VDS=10V,ID=1mA/mm Vp=-3.4 V e. Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=0.5mA/mm BVDS>85 V f. Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=1mA/mm BVDS>>120 VBVDS 7) S-Parameter a) 测试条件:Gate width: 6x100um device @ CW SP bench; Bias : Vd=28V, Idq=100mA/mm | 65.00 | 2024年5月 |